氮化 鎵 與 碳化矽
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SiC vs GaN：寬能隙半導體的不同世界
https://www.eettaiwan.com
在解釋每種半導體技術與需求相互匹配的領域時，Witham表示，以功率級來看，矽適於20W及以下的應用，GaN適用於20W至100kW，SiC則適用於100kW至300kW及以上 ...
氮化鎵（GaN）何去何從? 氮化鎵市場、應用與未來
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這些因素導致了碳化矽和氮化鎵在電子市場的廣泛採用。SiC 是900 V 及以上高壓應用的理想選擇。矽基板氮化鎵(GaN-on-silicon)巧妙地解決了700 V ...
第三代半導體氮化鎵(GaN)發展趨勢？聽聽全球市占前幾大廠 ...
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無論是Navitas或者被英飛凌併購的GaN Systems，過去都曾認為，2025年將是氮化鎵與碳化矽在高功率應用市場侵蝕/取代矽地位的關鍵一年。 尤其近年積極發展氮 ...
甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解
https://epc-co.com
由於具有更高的擊穿强度、更快的開關、更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率元件明顯比矽基元件更優越。氮化鎵晶體可以在各種襯底上生長，包括藍寶石、碳化矽（SiC ...
氮化鎵GaN還是碳化矽SiC？到底該pick誰？
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氮化鎵和碳化矽材料更大的禁帶寬度，更高的臨界場強使得基於這兩種材料製作的功率半導體具有高耐壓，低導通電阻，寄生參數小等優異特性。當應用於開關電源 ...
第三代半導體商機發光，台廠奮起摘星
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隨著5G通訊、電動車、碳中和….等趨勢加速展開，碳化矽（SiC）材料及氮化鎵（GaN）因具備更高效節能、更高功率等優勢，成為市場眼中的明日之星，目前歐、美、中、日等 ...
GaN和SiC怎麼選？重點在於可靠性
https://www.edntaiwan.com
根據Witham的說法，SiC和GaN各有優劣。GaN有利於開關損耗，而SiC有利於傳導損耗。從性能的角度來看，選擇取決於客戶的應用。
GaN, SiC, 第三代半導體
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SiC 及GaN 的好處是以它為材料製成的元件能夠耐受的電壓，電流和溫度都較矽大幅提升，它們的擊穿電壓(breakdown voltage)非常高，且切換速度快、能耗低，這就構成了功率 ...
氮化鎵大擧上車！將與碳化矽同場競技？
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氮化鎵器件目前有兩種主流器件，一種是平面器件，一種是垂直器件。平面器件利用鋁+氮形成二維電子器，它的電子遷移率更高，因此適合高導通頻率的應用。
寬能隙半導體： SiC 和GaN 技術的未來
https://th.element14.com
寬能隙半導體(WBG) 材料（例如碳化矽(SiC) 和氮化鎵(GaN)）是特別令人關注的焦點，並且已經使得目前標準矽的性能顯著提升。 儘管矽是一種優異的通用半導體，但是有相當多的 ...